2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館)

渡邉 孝信(早大)、舟窪 浩(東工大)

16:00 〜 16:15

[20p-S221-10] 不純物添加による酸化ランタン薄膜の耐湿性向上

安達 裕1、坂口 勲1 (1.物材機構)

キーワード:フッ化カルシウム

希土類酸化物であるLa2O3は、比誘電率が約27とSiO2の約7倍の値を持ち、Siとのバンドオフセットも比較的大きいことから、SiOやSiNにかわるゲート絶縁膜としての利用が期待できるが、実用化のためにはその極めて強い吸湿性の改善が必要である。本研究において、La2O3に微量のCaF2を添加するとLa2O3の耐湿性が向上することを見出したので、それについて報告する。