2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館)

渡邉 孝信(早大)、舟窪 浩(東工大)

16:30 〜 16:45

[20p-S221-11] 液相堆積法によるSrTiO3のイオンドリフトの影響

〇(M1C)國光 俊作1、稲野 基1、羽路 伸夫1 (1.横国大院工)

キーワード:液相堆積法、誘電体薄膜、イオンドリフト

近年の情報化社会の成長によって,電子デバイスには軽量化,高速化が求められている。本研究室では液相堆積(Liquid Phase Deposition:LPD)法による, (Ba,Sr)TiO3(以下:BST)やBi4Ti3O12(以下:BIT)などの強誘電体材料のMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタとしての応用および強誘電体材料を用いたFeRAMに関する研究を行っている。本研究において,BSTの基本構成物質であるSrTiO3のLPD法による堆積を行ったところ,イオンドリフトの影響を確認したため,これを報告するものである。