[20p-S221-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [20p-S221-12] Analysis of temperature-dependent structure change of ferroelectric Hf(Y)O thin films by synchrotron radiation X-ray diffraction

〇Riichiro Takaishi¹, Tsunehiro Ino¹, Shosuke Fujii¹ (1.Toshiba Corp.)

Keywords:ferroelectrics,X-ray diffraction

強誘電性を示す斜方晶Hf(Y)O薄膜の構造発現メカニズム解明を目的として、高温下での放射光X線回折を用いた結晶構造解析を行った。斜方晶相の発現には高温下においてTiNとの相互作用によって面内方向の軸長変化を制限すること、及び熱膨張に伴う格子体積変化を面直方向に制御することが重要であると考えられる。