[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [20p-S221-12] 放射光XRDによる強誘電Hf(Y)O薄膜結晶構造の温度依存性解析

〇高石 理一郎¹、井野 恒洋¹、藤井 章輔¹ (1.東芝)

キーワード：強誘電体、X線回折

強誘電性を示す斜方晶Hf(Y)O薄膜の構造発現メカニズム解明を目的として、高温下での放射光X線回折を用いた結晶構造解析を行った。斜方晶相の発現には高温下においてTiNとの相互作用によって面内方向の軸長変化を制限すること、及び熱膨張に伴う格子体積変化を面直方向に制御することが重要であると考えられる。