[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-13] FT-IR法を用いた強誘電性HfSiO膜の構造解析による電気特性のプロセス依存性に対する考察

〇上牟田 雄一¹、藤井 章輔¹、高石 理一郎¹、井野 恒洋¹、中崎 靖¹、齋藤 真澄¹、小山 正人¹ (1.東芝研開セ)

キーワード：強誘電体、HfO2