[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-17] 強誘電性HfO₂膜における分極ドメインの減衰

〇柴山 茂久^1,2、徐 倫¹、右田 真司³、鳥海 明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)

キーワード：HfO2、強誘電体、ピエゾ応答力顕微鏡