[20p-S221-1~17] 13.3 Insulator technology

[20p-S221-3] Hydrogen Distribution Analysis in Al₂O₃ Film -Dependence of Annealing Temperature-

〇Yasuo Shimizu¹, Bin Han¹, Yuan Tu¹, Koji Inoue¹, Fumiko Yano², Masao Inoue³, Yorinobu Kunimune⁴, Yasuhiro Shimada⁴, Toshiharu Katayama⁴, Takashi Ide⁴, Yasuyoshi Nagai¹ (1.IMR Tohoku Univ., 2.Tokyo Inst. Tech., 3.Renesas, 4.RSMC)

Keywords:atom probe,hydrogen,Al2O3

Al₂O₃膜はGaNやGeデバイスのゲート絶縁膜や電荷捕獲型メモリのブロック層，あるいは強誘電体メモリにおける水素バリア膜として注目されている．水素はデバイスの信頼性に影響を及ぼす可能性があり，これまで我々はAl₂O₃膜中の水素の拡散またはトラップ性能を検証するべく，原子スケールの位置分解能で元素分布を得る３次元アトムプローブ（APT）法の適用の可能性を探ってきた．本講演では，水素分布の熱処理温度依存性を報告する．