[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-3] Al₂O₃中の水素分布評価 ー熱処理温度依存性ー

〇清水 康雄¹、韓 斌¹、涂 远¹、井上 耕治¹、矢野 史子²、井上 真雄³、国宗 依信⁴、島田 康弘⁴、片山 俊治⁴、井手 隆⁴、永井 康介¹ (1.東北大金研、2.東工大、3.ルネサス、4.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)

キーワード：アトムプローブ、水素、Al2O3

Al₂O₃膜はGaNやGeデバイスのゲート絶縁膜や電荷捕獲型メモリのブロック層，あるいは強誘電体メモリにおける水素バリア膜として注目されている．水素はデバイスの信頼性に影響を及ぼす可能性があり，これまで我々はAl₂O₃膜中の水素の拡散またはトラップ性能を検証するべく，原子スケールの位置分解能で元素分布を得る３次元アトムプローブ（APT）法の適用の可能性を探ってきた．本講演では，水素分布の熱処理温度依存性を報告する．