[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [20p-S221-5] DMAHを用いた原子層堆積によるAl₂O₃誘電膜の形成

〇吉嗣 晃治¹、石河 泰明¹、高橋 清²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.日本アルキルアルミ)

キーワード：原子層堆積法、Al2O3、C-V

GaN系電子デバイスにおける絶縁ゲート材料として，原子層堆積によるAl₂O₃誘電膜が期待されている．Al₂O₃のAl原料としては，高い揮発性と熱安定性をもつTMAが広く用いられ，プロセスが確立されているが，TMAはメチル基3つと結合しているため，生成物中に炭素不純物が残留しやすく，立体障害が大きいために単分子吸着が困難である．本研究では，新規Al有機金属化合物として，TMAのメチル基の一つが水素と結合したDMAHに着目し，原子層堆積によるAl₂O₃膜の形成と電気的特性評価を試みた．