[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [20p-S221-7] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の繰り返し構造を利用した大きなフラットバンド電圧シフト(>1 V)

〇鎌田 啓伸¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：絶縁膜、High-k、ダイポール

一部の堆積ゲート絶縁膜では堆積膜/SiO₂界面にダイポール層が形成され​、フラットバンド電圧(V_fb)のシフトをもたらす。このようなダイポール層をつくる界面を繰り返し積層することでダイポール効果を重ね合わせることができれば、大きなV_fbシフトの制御が可能であると期待できる。そこで本研究では、複数のAl₂O₃/SiO₂界面を積層し、ダイポール層の重ね合わせによるMOSキャパシタのV_fbの大きなシフトを実証することを目的とした。