[20p-S222-1~17] 21.1 Joint Session K

[20p-S222-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Enhancement of Hall mobility in ZnO graphoepitaxial films

〇Tetsuya Kudo¹, Takayoshi Oshima¹, Kouhei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech, 2.MCES)

Keywords:semiconductor,ZnO,Graphoepitaxy

ガラス基板上で微細構造を用いて面内配向制御が可能なグラフォエピタキシーは，低コストかつ高品質な大面積薄膜デバイスの作製手法の一つである．我々は、この手法をZnOに適用し，回折格子様のライン・アンド・スペース（L&S）パターン形状を有するガラス基板上に，パルスレーザ堆積法（PLD）およびミスト化学堆積法（CVD）を用いて2段階成長することで，グラフォエピタキシーを実証した ．しかし，パターン形状の凹凸に沿って電流が流れる結果，見かけの移動度が低くなるという問題があった．前回，パターン基板とZnO薄膜の間に絶縁性Mg_0.04Zn_0.96Oを挿入することでこの問題を解決したことを報告した ．今回ホール移動度の向上を確認したので報告する．