[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】 グラフォエピタキシャルZnO薄膜におけるホール移動度の向上

〇工藤 徹也¹、大島 孝仁¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

キーワード：半導体、酸化亜鉛、グラフォエピタキシー

ガラス基板上で微細構造を用いて面内配向制御が可能なグラフォエピタキシーは，低コストかつ高品質な大面積薄膜デバイスの作製手法の一つである．我々は、この手法をZnOに適用し，回折格子様のライン・アンド・スペース（L&S）パターン形状を有するガラス基板上に，パルスレーザ堆積法（PLD）およびミスト化学堆積法（CVD）を用いて2段階成長することで，グラフォエピタキシーを実証した ．しかし，パターン形状の凹凸に沿って電流が流れる結果，見かけの移動度が低くなるという問題があった．前回，パターン基板とZnO薄膜の間に絶縁性Mg_0.04Zn_0.96Oを挿入することでこの問題を解決したことを報告した ．今回ホール移動度の向上を確認したので報告する．