2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月20日(日) 13:00 〜 17:30 S222 (南2号館)

大橋 直樹(物材機構)、牧野 久雄(高知工科大)

16:00 〜 16:15

[20p-S222-12] 燐ドープZnOマイクロ結晶球の構造および発光特性評価

藤原 優輝1、池渕 達也1、植山 健史1、田中 稔伸1、永嵜 史明1、東畠 三洋1、中村 大輔1、岡田 龍雄1 (1.九大シス情)

キーワード:酸化亜鉛、燐ドープ、マイクロ球

我々はレーザーを用いたマイクロサイズのZnOマイクロ結晶球の作製に成功している。本研究ではアクセプタドーパントである燐を混入させた燐ドープZnOマイクロ結晶球の作製に成功した。ラマンシフト測定においてZnOの結晶構造を有していることを確認し、燐ドープを示唆する結果が得られた。さらに、燐ドープZnOマイクロ球においてもバンド端由来の紫外発光ピークが得られたのでその結果について報告する。