2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月20日(日) 13:00 〜 17:30 S222 (南2号館)

大橋 直樹(物材機構)、牧野 久雄(高知工科大)

16:45 〜 17:00

[20p-S222-15] 耐熱性TNO透明導電膜の導入による色素増感太陽電池の高効率化

遠藤 剛志1、小野 理恵子1、岩城 諒1、竹村 秀一郎1、〇奥谷 昌之1,2、中尾 祥一郎3、岡崎 壮平3、坂井 延寿3、山田 直臣3、一杉 太郎4、長谷川 哲也5 (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研、3.神奈川技術アカデミー、4.東北大WPI-AIMR、5.東大院理)

キーワード:TNO、色素増感太陽電池、界面抵抗

色素増感太陽電池(DSSC)において、透明導電膜にはFドープSnO2(FTO)を用いるのが一般的であるが、本研究ではNbドープTiO2(TNO)を導入する。本研究グループでは、これまでにTNO透明導電膜の導入により、従来の多孔質TiO2 / FTOヘテロ接合(FTOセル)に対し、多孔質TiO2 / TNO ホモ接合(TNOセル)による界面抵抗の低減と太陽電池特性の向上を報告した。この際、電極作製時の水素アニールによる還元防止のため、多孔質TiO2層へのアルミナ層のコーティングが不可欠であった。今回、大気下での耐熱性を有する新規TNO 膜を利用することでコーティングフリーのDSSCを作製し、従来のTNOセルと比較・検討を行った。