The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

Joint Session K » Joint Session K

[20p-S222-1~17] 21.1 Joint Session K

Sun. Mar 20, 2016 1:00 PM - 5:30 PM S222 (S2)

Naoki Ohashi(NIMS), Hisao Makino(Kochi Univ. of Tech.)

4:30 PM - 4:45 PM

[20p-S222-14] AP-MOCVD deposition of CuO thin films (2)

Kazuki Fujiwara1, Mizuki Teramura1, Kentaro Taguch1, Kai Taniguch1, Syungo Sakai1, Hiroyasu Ishikawa1,2 (1.Shibaura Inst., 2.SIT Center for GI)

Keywords:CuO,MOCVD

有機金属加熱炉および反応炉として横型管状炉2台を用いた常圧MOCVD装置によりCuOの堆積実験を行った。O2ガスをキャリアガスと反応ガスを兼ねて使用したところ、堆積温度350℃で茶褐色の膜が基板全体に堆積した。XRDの結果から全ての温度においてCuO (002)のピークが最も強く観測され、次いでCuO (111)ピークが観測された。また、温度が高いほどピーク強度も高くなる傾向にあった。