2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[20p-S223-9~17] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年3月20日(日) 16:15 〜 18:30 S223 (南2号館)

今北 健二(神戸大)

16:30 〜 16:45

[20p-S223-10] Relationship between electrical and luminescence properties of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures investigated with impedance spectroscopy

朱 婉新1、石井 真史2、小泉 淳1、藤原 康文1 (1.阪大院工、2.物質・材料研究機構)

キーワード:Eu,GaN,impedance spectroscopy