[20p-S223-9~17] 13.9 光物性・発光デバイス

[20p-S223-11] GaN:Eu赤色LED発光中心の三次元マッピングによる解析

〇石井 真史¹、小泉 淳²、藤原 康文² (1.物材機構、2.阪大工)

キーワード：GaN:Eu、LED、発光中心

GaNベースの赤色LEDに使われるGaN:Eu中のEu発光中心の理解は、励起波長と検出波長の二次元マッピング（CEES）によって飛躍的に進んだが、実際のLEDは、光励起と電流注入の違いによってCEESから期待される特性と異なる。本報告では既報のパルス駆動発光分光PDESを発展させ、電流注入の多次元マッピング分析法を新たに開発し、GaN:Eu LEDを解析した結果を報告する。