[20p-S223-9~17] 13.9 光物性・発光デバイス

[20p-S223-17] PLD法によるp型Si(111)基板上へのErドープGa₂O₃薄膜の成長と評価

〇野田 真司¹、陳 政委¹、斉藤 勝彦¹、田中 徹¹、西尾 光弘¹、郭 其新¹ (1.佐賀大院工)

キーワード：酸化ガリウム、希土類