2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:00 S321 (南3号館)

宮本 智之(東工大)、北田 貴弘(徳島大)

17:15 〜 17:30

[20p-S321-14] EAMゲートアレイを用いた分配選択型光スイッチモジュールの特性向上

村中 勇介1、瀬川 徹1、小木曽 義弘1、藤井 拓郎1、高橋 亮1 (1.NTT先デ研)

キーワード:光スイッチ、電界吸収型光変調器、光パケットスイッチ

EAMゲートアレイを集積した分配選択型の高速な光スイッチに要素技術を導入し、モジュールの特性を向上させた。簡易なプロセスで作製可能な、埋め込み導波路型スポットサイズ変換器を集積し、光導波路と光ファイバとの高効率結合を実現した。さらに、EAMアレイ電極間に生じる電気クロストーク抑制のため、EAMに接続するパッシブ導波路の表面にグラウンド電極を形成することで、簡易な構造で光出力のパワー変動を抑制した。