[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

△ [20p-S421-3] MoS₂/WS₂半導体ヘテロ接合界面におけるバンドギャップ変調

〇(M2)小林 佑¹、吉田 昭二²、櫻田 龍司²、斉藤 哲輝¹、渡邊 賢司³、谷口 尚³、真庭 豊¹、重川 秀実²、宮田 耕充^1,4 (1.首都大院理工、2.筑波大数理、3.物材機構、4.JSTさきがけ)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、ヘテロ接合、バンドギャップ変調