The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[20p-S421-1~12] 17.3 Layered materials

Sun. Mar 20, 2016 1:45 PM - 4:45 PM S421 (S4)

Keiji Ueno(Saitama Univ.)

2:45 PM - 3:00 PM

[20p-S421-5] Geometric and Electronic Properties of thin-layer GeSe and GeSe/MoS2 Heterostructures

Mari Ohfuti1 (1.Fujitsu Labs.)

Keywords:GeSe,density functional theory

グラフェンの発見以来、新たな2次元材料の探求が盛んになっている。より新しい材料として、GeSeのようなIV属モノカルコゲナイドが注目されつつある。単層・2層GeSeおよびGeSe/MoS2ヘテロ構造を密度汎関数プログラムOpenMX を利用して調べ、GeSeの原子構造、電子状態の層数依存性、ヘテロ構造のバンド不連続値などを得た。