[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-11] 金属/Ge接合及びn⁺/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価

〇山本 圭介¹、岡本 隼人²、王 冬²、中島 寛¹ (1.九大産学連携センター、2.九大総理工)

キーワード：ゲルマニウム、トンネルFET、ショットキー接合

LSIの超低消費電力化に向けて、急峻なON/OFF遷移が実現可能なトンネルFET（TFET）が注目されている。TFETではソース/チャネル部にトンネル接合を形成することが重要である。また、実用化に向けては、既存のSi系プロセスと親和性の高い材料・構造を用いることが好ましい。我々は金属/Ge接合に着目して、メタルソース/ドレイン型Ge TFETの実現を目指している。今回、バルクGeを用いてプレーナ型TFETを試作したので、その結果を報告する。