[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-14] 変調ドープ構造InGaAsナノワイヤ/SiトンネルFETの作製

〇冨岡 克広^1,2、石坂 文哉¹、本久 順一¹、福井 孝志¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター、2.JSTさきがけ)

キーワード：トンネルFET、III-V化合物半導体、ナノワイヤ

本研究では、InGaAsナノワイヤ/Siヘテロ接合界面による縦型TFETについて、変調ドープ層を有したコア・マルチシェル(CMS)ナノワイヤ構造を形成し、SSを急峻化しながら、オン電流を大幅に増加する素子の実証について報告する。