[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-16] 短チャネルトンネルトランジスタにおける結合量子ドット的電子輸送とマイクロ波応答

〇森山 悟士¹、森 貴洋²、大野 圭司³ (1.物材機構、2.産総研、3.理研)

キーワード：トンネル電界効果トランジスタ、量子ドット、単一電子輸送

トンネル電界効果トランジスタ(TFET) の量子効果デバイス応用として, 我々は, これまでTFETチャネル中に少数存在するダングリングボンド欠陥を介した単一電子伝導, Al-Nイオン注入で形成した深い準位を介する単一電子伝導を報告してきた。今回, Al-Nイオン注入を行った短チャネルTFET素子において直列2重結合量子ドット的な電子輸送を観測し, マイクロ波応答からフォトンアシストトンネル電流, および電流検出による電子スピン共鳴を観測したので報告する。