[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-2] S/Mo比増加によるMoS₂膜の低キャリア濃度化

〇大橋 匠¹、松浦 賢太朗¹、石原 聖也²、日比野 祐介²、澤本 直美²、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、小椋 厚志²、若林 整¹ (1.東工大、2.明治大)

キーワード：二硫化モリブデン、2次元半導体、スパッタ