[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-6] SOI-FETにおける強誘電体HfO₂の負性容量を利用した急峻スイッチングの検討：BOX膜厚設計の重要性

〇太田 裕之^1,3、右田 真司^1,3、福田 浩一¹、服部 淳一¹、鳥海 明^2,3 (1.産総研、2.東大工、3.JST CREST)

キーワード：急峻スイッチング、負性容量、強誘電

負性容量の強誘電体をゲート絶縁膜に用いたMOSFETは、サブスレッショルド係数SS<60 mV/decadeが予想され、注目を集めている。本発表では、silicon-on-insulator(SOI) FETをモデルとして、SS<60mV/decadeを達成するための設計指針を考察した。その結果、SOI-FETにおいて負性容量による急峻SSを達成するためには、極薄BOXが重要であることが分かった。