[20p-S422-1~18] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[20p-S422-7] Analysis of PN-Body tied SOIMOSFET with SS=35μV/dec

〇Takashi Horii¹, Takahiro Yoshida¹, Yousuke Kuramoto¹, Jiro Ida¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech)

Keywords:SOI,Subthreshold-Slope

ボディタイ(BT)構造にN⁺領域を追加した新構造のPN-Body tied SOI MOSFETデバイスを試作し測定を行った。SSの最小値を検討するためゲート電圧のステップを細かく変化させた測定を行い、超低ドレイン電圧で34.6μV/decの急峻なSSが確認できた。また、ボディ側N⁺領域とボディ間でのインパクトイオン化現象の動作への影響も調査し、ボディ部でのインパクトイオン化現象を用いなくても急峻なSSが得られるデバイスであることが分かった。