[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-7] SS=35μV/decを持つPN-Body tied SOIMOSFETの解析

〇堀井 隆史¹、吉田 貴大¹、蔵本 陽介¹、井田 次郎¹ (1.金沢工大)

キーワード：SOI、サブスレッショルドスロープ

ボディタイ(BT)構造にN⁺領域を追加した新構造のPN-Body tied SOI MOSFETデバイスを試作し測定を行った。SSの最小値を検討するためゲート電圧のステップを細かく変化させた測定を行い、超低ドレイン電圧で34.6μV/decの急峻なSSが確認できた。また、ボディ側N⁺領域とボディ間でのインパクトイオン化現象の動作への影響も調査し、ボディ部でのインパクトイオン化現象を用いなくても急峻なSSが得られるデバイスであることが分かった。