[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-8] 離散不純物分布がもたらすT u n n e l F E T の特性ばらつきの数値解析

〇浅井 栄大¹、右田 真司¹、服部 淳一¹、福田 浩一¹、佐野 伸行² (1.産総研、2.筑波大物工)

キーワード：トンネルFET、離散不純物、特性ばらつき

本研究では、離散的不純物分布に起因するTunnel FET (TFET) のドレイン電流 (I_d) − ゲート電圧 (V_gs) 特性のばらつきをTCADシミュレーションにより調べた。本研究では不純物の個数を固定し、不純物の「位置のばらつき」が特性ばらつきに与える影響を調べた。講演では均質な不純物分布を用いたシミュレーション結果との比較から、特性ばらつきの起源について議論する。