2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

東 清一郎(広島大)、原 明人(東北学院大)

16:45 〜 17:00

[20p-S423-12] Microwave Rapid Heating Used for Diffusing Impurities in Silicon

太田 康介1、木村 駿介1、蓮見 真彦1、鮫島 俊之1、鈴木 歩太2、牛島 満2 (1.農工大、2.東京エレクトロン)

キーワード:semiconductor,doping