[20p-S611-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-S611-1] 50 cm径ルツボを用いた45 cm径インゴット単結晶の
２ゾーン加熱Noncontact Crucible (NOC) 炉による成長

〇中嶋 一雄¹、小野 聖¹、金子 弦¹、村井 良多¹、白澤 勝彦²、福田 哲生²、高遠 秀尚² (1.JST FUTURE-PV、2.FREA)

キーワード：太陽電池、大口径、大きな直径比

ルツボ内のSi融液中に大きな低温領域を形成し、その中でSiインゴット単結晶を成長するNoncontact Crucible (NOC) Methodを我々は提案してきた。本研究では、 実用的観点から２ゾーン加熱炉を用いて成長し、50 cmφのルツボを用いて、直径比を90%に出来ることを確認した。この時、最大で45 cm径のインゴット単結晶が成長できた。新炉では、常に1 × 10¹⁸ cm^-3以下であった。このためまずp型Siインゴット単結晶（有転位：10⁴ cm-²オーダ）から、厚さ200 μmサイズ156 mm角のウェハーを加工し、太陽電池特性を確認した。チョクラルスキー法による無転位単結晶で変換効率が19%でる産総研の試作ラインを用いたところ、最大18.8%、最少18.2%の特性が得られた。