[20p-S611-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-S611-13] Temperature-Dependent Effective Lifetime Measurement of Crystalline Silicon Passivated by Amorphous Silicon Oxide / Doped Layer Stack Structure

〇masahiro inaba¹, Shinsuke Miyajima¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:c-Si Solar cell

ライフタイムの温度依存性から結晶シリコン/パッシベーション膜界面の情報を得ることができる。本研究では、i層とドープ層を積層した試料の評価を行った。n型基板の両面にn/iスタックパッシベーションを施した場合、i層のみと比較して温度によるライフタイムの増加の割合が大きくなることが明らかとなった。p/iスタック構造の場合とも異なる傾向であり、温度依存性測定を用いて内部電界の効果を評価できることを示唆している。