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[20p-S611-13] a-Si1-xOx:Hヘテロ接合太陽電池構造に対する少数キャリアライフタイム温度依存測定
キーワード:結晶シリコン太陽電池
ライフタイムの温度依存性から結晶シリコン/パッシベーション膜界面の情報を得ることができる。本研究では、i層とドープ層を積層した試料の評価を行った。n型基板の両面にn/iスタックパッシベーションを施した場合、i層のみと比較して温度によるライフタイムの増加の割合が大きくなることが明らかとなった。p/iスタック構造の場合とも異なる傾向であり、温度依存性測定を用いて内部電界の効果を評価できることを示唆している。