[20p-S611-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [20p-S611-8] Influence of grain boundaries on stress concentration in multicrystalline Si for solar cells

〇Shota Sugioka¹, Kentaro Kutsukake¹, Momoko Deura¹, Yutaka Ohno¹, Ichiro Yonenaga¹ (1.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:solar cell,grain boundary,stress

太陽電池用の多結晶Siは、結晶成長過程で粒界から発生する転位の抑制が課題の一つである。観察した転位の分布と結晶成長中に生じる応力の分布に対応があり、さらに粒界近傍で応力が高くなることを示した先行研究がある。しかし、応力集中の機構は不明である。本研究では、粒界近傍での応力集中の機構を明らかにすることを目的とし、さまざまな結晶方位でのSi結晶内の応力値を有限要素法により求めた。