[20p-S621-1~13] 3.15 Silicon photonics

△ [20p-S621-11] Bandgap modulation in Ge wire due to uniaxial tensile strain induced by stress liner

〇Shogo Tanaka¹, Hiroshi Oka¹, Kohei Tominaga¹, Takashi Amamoto¹, Masahiro Koyama¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka univ.)

Keywords:Ge,tensile strain

ゲルマニウム（Ge）は間接遷移型半導体であるが、Γ点とL点の伝導帯下端のエネルギー差は136 meVと小さく、引張歪みの印加によって発光効率の高い直接遷移型バンド構造に変調可能であることが知られている。本研究ではストレスライナー（印加膜）を用いたGe細線への一軸引張歪みの印加を検討し、それに伴うバンド構造変調の評価を行った。