[20p-S621-1~13] 3.15 Silicon photonics

[20p-S621-9] Resonant electronic Raman transitions in tensile-strained Ge

〇(M2)Tomoaki Matsushita¹, Yuhsuke Yasutake^1,2, Satoshi Iba³, Hidekazu Saito³, Shinji Yuasa³, Susumu Fukatsu¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.JST-PRESTO, 3.AIST)

Keywords:Electrinic raman,Strained Ge,Ge-on-Si

ゲルマニウム(Ge)の示す興味深い物性として価電子帯内の電子ラマン遷移(ER)が、蛍光スペクトルを背景に顕在化することがあげられる。GeのERは双極子許容な２光子過程であり、スピン分極率の指標である円偏光度は-40%と直接端を上回る。電荷・スピン緩和と密接に関連する重要な過程でありながらGeのERに関する理解は現状、ほとんど進んでいない。本研究では、伸張歪によるバンド変調を導入し、SOバンド起源のERの発現とその制御を試みた。