PDF ダウンロード スケジュール 22 いいね! 0 コメント (0) 17:00 〜 17:15 △ [20p-W323-12] エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上 〇(D)山阪 司祐人1、渡辺 健太郎1,2、澤野 憲太郎3、竹内 正太郎1、酒井 朗1、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.JST-CREST、3.東京都市大総研) キーワード:熱電材料、ナノドット、シリコン