[21a-H101-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-H101-4] 4H-SiC m面上に形成された熱酸化膜の界面近傍における
微視的構造の特徴の赤外分光法による解析

〇黒山 滉平¹、平井 悠久¹、山本 建策²、金村 髙司²、喜多 浩之¹ (1.東京大工、2.デンソー)

キーワード：SiC

SiCの熱酸化により形成されるMOS界面の電気特性はSiC基板の面方位に強く依存している。当研究グループではこれまでに全反射減衰法(ATR)を用いたフーリエ変換赤外分光法(FTIR)による解析に基づき、4H-SiCのSi面とC面上の熱酸化膜には、界面近傍(<～3nm)において微視的構造に違いが見られることを報告したが、m面に関しては明らかではない。そこで本研究ではm面上の熱酸化膜の界面近傍における微視的構造についてATR-FTIR法による解析を行った。