[21a-H101-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21a-H101-6] Roughness Growth during Step-Etching on Thermal Oxide Surface of SiC

Ryu Nagai¹, 〇Nozomu Iitsuka¹, Ryu Hasunuma¹, Kikuo Yamabe¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:SiC,dielectric film,SiO2/SiC Interface

SiCの熱酸化機構を解明するには、Cの挙動を理解することが重要な課題であると考えられる。最近では、SiO₂/SiC界面にはSiO_xC_yのようなC不純物を含んだ界面層が形成されるとの報告がある。この界面層の存在は酸化膜質の不均一性を誘発する可能性がある。本研究では、SiC上熱酸化膜エッチングに伴う表面ラフネスを詳細に評価することで膜質の不均一性を調査した。結果、界面近傍に不均一なエッチングを誘発する特異性があることを見出した。