[21a-H101-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21a-H101-7] Roughness Growth on Wet Oxide Surface and Interface of SiC

〇Hiroaki Kawamura¹, Ryu Nagai¹, Ryu Hasunuma¹, Kikuo Yamabe¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:SiC,Wet Oxidation,Dielectric Film

次世代パワーデバイスの材料として、熱酸化により良好な酸化絶縁膜、SiO₂が形成されるSiCが注目されている。しかし、SiC熱酸化膜の界面は極端に悪く、界面形成のメカニズム解明は重要である。我々は今までDry酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加に着目し、熱酸化機構について考察を深めてきた。そこで、良好な界面が得られるWet酸化におけるラフネス増加にも注目し、熱酸化雰囲気の違いによるラフネス形成機構の考察を試みた。