[21a-H101-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [21a-H101-8] Doping characteristic of Al into 4H-SiC by Laser Irradiation to Deposited Al Film

〇Rikuho Sumina¹, Akihiro Ikeda¹, Hiroshi Ikenoue¹, Tanemasa Asano¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:4H-SiC,p-type doping,laser doping

現在、4H-SiCへのドーピングにはイオン注入及び1700℃程度の高温アニールが用いられている．しかし、この高温プロセスでSiC中に結晶欠陥が発生するとされている。そのため、低温ドーピングプロセスが望まれる。そこで、我々は低温ドーピング技術として堆積Al薄膜へのレーザ照射による4H-SiCへのAlドーピングが可能であることを見出した。今回、その方法でドーピングした層の抵抗を評価したので報告する。