[21a-H103-1~10] 6.4 薄膜新材料

[21a-H103-1] TEOS 導入によるMOCVD 法CeO₂ 薄膜の結晶化抑制

〇古矢 智也¹、松村 隆志¹、菊地 健介¹、鈴木 雄大¹、鈴木 摂²、石橋 啓次²、山本 康博¹ (1.法政大理工、2.（株）コメット)

キーワード：誘電体、有機金属気相成長法、酸化セリウム