[21a-H112-3~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21a-H112-10] 部分キャップ制御による低密度InAs/GaAs量子ドットの光学特性向上

〇角田 雅弘¹、權 晋寛¹、車 一宏²、太田 泰友¹、渡邉 克之^1,2、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

キーワード：分子線エピタキシー