[21a-H112-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎

[21a-H112-2] InAs/GaAs(001)系界面転位形成に関する理論的検討

〇海田 諒¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：InAs/GaAs(001)、ぬれ層