[21a-H112-3~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[21a-H112-4] Effect of InAs intermediary on the growth of InGaAs on GaAs(111)A

〇(M2)Ryota Deki¹, Takuo Sasaki², Masamitu Takahasi^1,2 (1.Univ. Hyogo, 2.JAEA)

Keywords:relaxation,in-situ synchrotron x-ray diffraction

3元系混晶半導体であるInGaAsはIn組成の制御により幅広いバンドギャップエネルギーがとれるため、高効率太陽電池などへの応用が期待されている。一般的なGaAs(001)基板上の成長では格子不整合による転位や島の発生で高品質のInGaAs膜の作製が困難である。これに対してGaAs(111)A基板ではInAsが二次元成長し、そのInAs膜上にInGaAs成長させることで平坦性の高い膜が作製できると報告されている。本研究はこのような界面のInAsの役割を明らかにする目的で、放射光その場X線回折を行った。