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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21a-H112-3~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2016年3月21日(月) 09:30 〜 12:00 H112 (本館)

塚本史郎(阿南高専)

11:00 〜 11:15

[21a-H112-8] 長波長発光近接積層InAs/GaAs量子ドットの偏光フォトルミネッセンス特性

〇田尻祐介¹、海津利行^1,2、喜多隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：InAs/GaAs量子ドット、分子線エピタキシー(MBE)

　　　