2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月21日(月) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

岩谷 素顕(名城大)、斉藤 真(東北大)

11:15 〜 11:30

[21a-H121-10] ScAlMgO4基板上へのGaN薄膜成長における不純物混入の抑制

矢原 弘崇1、岩渕 拓也1、窪谷 茂幸1、谷川 智之1、花田 貴1、片山 竜二1、福田 承生2、松岡 隆志1 (1.東北大金研、2.福田結晶)

キーワード:窒化ガリウム