[21a-H121-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-H121-11] Growth of AlGaN (0001) epitaxial layer on Ga₂O₃ (-201) substrate for UV LED

〇YOSHIKATSU MORISHIMA¹, Hideki Hirayama², Kazuyuki Iizuka¹, Shinichi Yamazaki¹, Yoshio Nishimura¹, Shigenobu Yamakoshi¹ (1.Tamura Corp, 2.Riken)

Keywords:Ga2O3,AlGaN,MOCVD

Ga₂O₃基板は紫外領域から可視光の全域にわたり透明度が高く、電気的に低抵抗にできるため、縦型構造をもつInAlGaN系可視・紫外LED用基板への応用に適する。
今回、我々は310nm帯紫外領域の皮膚治療等の需要に向けた高出力縦型InAlGaN LEDの開発を開始した。Ga₂O₃(-201)基板上n-Al_0.34Ga_0.66N層の成長方法を検証しLED開発に利用できる結晶品質が得られたので報告する。