[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-11] 310nm帯紫外LED用Ga₂O₃（-201）基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長

〇森島 嘉克¹、平山 秀樹²、飯塚 和幸¹、山崎 進一¹、西村 良男¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所、2.理研)

キーワード：酸化ガリウム、窒化アルミガリウム、有機金属気層成長法

Ga₂O₃基板は紫外領域から可視光の全域にわたり透明度が高く、電気的に低抵抗にできるため、縦型構造をもつInAlGaN系可視・紫外LED用基板への応用に適する。
今回、我々は310nm帯紫外領域の皮膚治療等の需要に向けた高出力縦型InAlGaN LEDの開発を開始した。Ga₂O₃(-201)基板上n-Al_0.34Ga_0.66N層の成長方法を検証しLED開発に利用できる結晶品質が得られたので報告する。