[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-2] 種結晶GaN表面および成長モードを制御したNaフラックスGaNの欠陥構造解析

〇(M1)水田 祐貴¹、竹内 正太郎¹、今西 正幸²、今出 完²、森 勇介²、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：GaN、Naフラックス法、転位